IRF640「FET-单」价格 图纸 参数
ST(意法) IRF640 PDF| 数据列表 |
IRF640(FP) |
|---|---|
| 产品相片 |
TO-220-3, TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MESH OVERLAY™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 18A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 180 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1560pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 125W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 |
497-2759-5 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 |
单价 (含税) |
货期 (工作日) |
操作 |
| IRF640 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 库存数 | 操作 |
IRF640PBF
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8648395 |
VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 180 mohm, 10 V, 4 V  (EN)
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2652 有货 可于1-2周内达送包装规格：每个1 + ￥17.2 更多价格信息... |
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IRF640SPBF
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1772602 |
VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, D2-PAK (EN)
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148 有货 可于1-2周内达送包装规格：每个1 + ￥49.88 更多价格信息... |
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IRF640NPBF
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2565839 |
INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB (EN)
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1874 有货 可于1-2周内达送包装规格：每个1 + ￥19.87 更多价格信息... |
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IRF640NPBF
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8648379 |
INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V (EN)
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1812 有货 可于1-2周内达送包装规格：每个1 + ￥19.76 更多价格信息... |
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| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 库存数 | 操作 | |
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IR MOSFET N, 200 V 18 A 150 W TO-220AB, IRF640NPBF, IR 型号：IRF640NPBF 仓库库存编号：171-15-082 |
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1221可于1-3周内送达 订货：3周 |
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| 产品描述 / 参考图片 / 价格 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
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制造商零件编号： IRF640PBF 品牌： Vishay 库存编号： 541-0452 |
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制造商零件编号： IRF640SPBF 品牌： Vishay 库存编号： 541-2464 |
购买 | ||
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制造商零件编号： IRF640NPBF 品牌： Infineon 库存编号： 919-4817 |
购买 | ||
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制造商零件编号： IRF640NPBF 品牌： Infineon 库存编号： 541-0014 |
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| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 库存数 / 价格 / 订货 | 操作 | |
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB 型号：IRF640 仓库库存编号：497-2759-5-ND 别名：497-2759-5 |
无铅 |
0 可于1-2周内送达 |
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） I2PAK 型号：IRF640L 仓库库存编号：IRF640L-ND |
含铅 |
0 可于1-2周内送达 |
购买 |
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB 型号：IRF640PBF 仓库库存编号：IRF640PBF-ND 别名：*IRF640PBF |
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6,273 可立即发货 可于1-2周内送达 1 + ￥20.34 更多价格信息... 原厂订货交期：12 周 |
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP 详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP 型号：IRF640FP 仓库库存编号：IRF640FP-ND |
无铅 |
0 可于1-2周内送达 |
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK 型号：IRF640S 仓库库存编号：IRF640S-ND |
含铅 |
0 可于1-2周内送达 |
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262 型号：IRF640NL 仓库库存编号：IRF640NL-ND 别名：*IRF640NL |
含铅 |
0 可于1-2周内送达 |
购买 |
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK 型号：IRF640SPBF 仓库库存编号：IRF640SPBF-ND |
无铅 |
1,277 可立即发货 可于1-2周内送达 1 + ￥21.08 更多价格信息... 原厂订货交期：12 周 |
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB 型号：IRF640NPBF 仓库库存编号：IRF640NPBF-ND 别名：*IRF640NPBF SP001570078 |
无铅 |
450 可立即发货 可于1-2周内送达 1 + ￥12.58 更多价格信息... 原厂订货交期：14 周 |
购买 |
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK 型号：IRF640STRL 仓库库存编号：IRF640STRL-ND |
含铅 |
0 可于1-2周内送达 |
购买 |
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK 型号：IRF640STRR 仓库库存编号：IRF640STRR-ND |
含铅 |
0 可于1-2周内送达 |
购买 |
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-262-3 型号：IRF640LPBF 仓库库存编号：IRF640LPBF-ND 别名：*IRF640LPBF |
无铅 |
0 可于1-2周内送达 |
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB 型号：IRF640,127 仓库库存编号：568-1161-5-ND 别名：568-1161-5 934055545127 |
无铅 |
0 可于1-2周内送达 |
购买 |
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