规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 154VWM 246VC SMD
型号:
P6SMB180A
仓库库存编号:
P6SMB180ALFCT-ND
别名:F2796CT
F2796CT-ND
P6SMB180ALFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Littelfuse Inc.
TVS DIODE 15.3VWM 25.5VC SMD
型号:
P6SMB18A
仓库库存编号:
P6SMB18ALFCT-ND
别名:F2798CT
F2798CT-ND
P6SMB18ALFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC SMD
型号:
P6SMB27A
仓库库存编号:
P6SMB27ALFCT-ND
别名:F2812CT
F2812CT-ND
P6SMB27ALFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC SMD
型号:
P6SMB33A
仓库库存编号:
P6SMB33ALFCT-ND
别名:F2818CT
F2818CT-ND
P6SMB33ALFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
TRANS PNP 20V 1.5A SOT23-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 1.5A 180MHz 625mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
FMMT718TA
仓库库存编号:
FMMT718CT-ND
别名:FMMT718
FMMT718CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
详细描述:JFET P-Channel 2mA @ 15V 225mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
MMBFJ176
仓库库存编号:
MMBFJ176CT-ND
别名:MMBFJ176CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
FDC6312P
仓库库存编号:
FDC6312PCT-ND
别名:FDC6312PCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2312BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2312BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2312BDS-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2312BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2312BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2312BDS-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
NTGD4167CT1G
仓库库存编号:
NTGD4167CT1GOSCT-ND
别名:NTGD4167CT1GOSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 17VWM 27.2VC DO214AA
型号:
SMBJ17D-M3/H
仓库库存编号:
SMBJ17D-M3/HGICT-ND
别名:SMBJ17D-M3/HGICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 30VWM 47.7VC DO214AA
型号:
SMBJ30D-M3/H
仓库库存编号:
SMBJ30D-M3/HGICT-ND
别名:SMBJ30D-M3/HGICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 26VWM 41.6VC DO214AA
型号:
SMBJ26D-M3/H
仓库库存编号:
SMBJ26D-M3/HGICT-ND
别名:SMBJ26D-M3/HGICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 15VWM 24VC DO214AA
型号:
SMBJ15D-M3/H
仓库库存编号:
SMBJ15D-M3/HGICT-ND
别名:SMBJ15D-M3/HGICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 24VWM 38.4VC DO214AA
型号:
SMBJ24D-M3/H
仓库库存编号:
SMBJ24D-M3/HGICT-ND
别名:SMBJ24D-M3/HGICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 5VWM 9.1VC DO214AA
型号:
SMBJ5.0D-M3/H
仓库库存编号:
SMBJ5.0D-M3/HGICT-ND
别名:SMBJ5.0D-M3/HGICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Tc) 1.25W(Ta),1.8W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2377EDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2377EDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2377EDS-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2312CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2312CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2312CDS-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 1.09W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2308BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2308BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2308BDS-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 1.6W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3433CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3433CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3433CDV-T1-GE3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 1.09W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2308BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2308BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2308BDS-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),34A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7522E
仓库库存编号:
785-1505-1-ND
别名:785-1505-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC655BN
仓库库存编号:
FDC655BNCT-ND
别名:FDC655BNCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 690mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN1019UFDE-7
仓库库存编号:
DMN1019UFDE-7DICT-ND
别名:DMN1019UFDE-7DICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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