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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 14.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO201SPNTMA1
  仓库库存编号：BSO201SPNTMA1CT-ND
  别名：BSO201SPXTINCT
  BSO201SPXTINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4410T
  仓库库存编号：BSO4410XTINCT-ND
  别名：BSO4410XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4420T
  仓库库存编号：BSO4420XTINCT-ND
  别名：BSO4420XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：BSO4804T
  仓库库存编号：BSO4804XTINCT-ND
  别名：BSO4804XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4822T
  仓库库存编号：BSO4822XTINCT-ND
  别名：BSO4822XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO615CT
  仓库库存编号：BSO615CXTINCT-ND
  别名：BSO615CXTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 370mA（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP123E6327T
  仓库库存编号：BSP123XTINCT-ND
  别名：BSP123XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP129E6327T
  仓库库存编号：BSP129XTINCT-ND
  别名：BSP129XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327T
  仓库库存编号：BSP170PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP170PE6327XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PE6327T
  仓库库存编号：BSP171PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP171PE6327XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295E6327T
  仓库库存编号：BSP295XTINCT-ND
  别名：BSP295XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315PE6327T
  仓库库存编号：BSP315PXTINCT-ND
  别名：BSP315PXTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327T
  仓库库存编号：BSP316PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP316PE6327XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP317PE6327T
  仓库库存编号：BSP317PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP317PE6327XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.7W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP88L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP88L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP88L6327
  BSP88L6327INCT
  BSP88L6327INCT-ND
  BSP88XTINCT
  BSP88XTINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327T
  仓库库存编号：BSS192PE6327XTINCT-ND
  别名：BSS192PE6327XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87E6327T
  仓库库存编号：BSS87XTINCT-ND
  别名：BSS87XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N50C3T
  仓库库存编号：SPD04N50C3XTINCT-ND
  别名：SPD04N50C3XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60C3T
  仓库库存编号：SPD07N60C3XTINCT-ND
  别名：SPD07N60C3XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N60S5T
  仓库库存编号：SPD07N60S5XTINCT-ND
  别名：SPD07N60S5XTINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108,126
  仓库库存编号：BS108,126-ND
  别名：934003840126
  BS108 AMO
  BS108 AMO-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS108/01,126
  仓库库存编号：BS108/01,126-ND
  别名：934009850126
  BS108/01 AMO
  BS108/01 AMO-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 310mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN254,126
  仓库库存编号：BSN254,126-ND
  别名：934004930126
  BSN254 AMO
  BSN254 AMO-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 310mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN254A,126
  仓库库存编号：BSN254A,126-ND
  别名：934003960126
  BSN254A AMO
  BSN254A AMO-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 300mA（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：BSN304,126
  仓库库存编号：BSN304,126-ND
  别名：934023530126
  BSN304 AMO
  BSN304 AMO-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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