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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	SIPMOS?
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-DSO-8
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	22.5nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	110 毫欧 @ 3.1A，10V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.1A，2A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	380pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 20μA
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	2W
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	BSO615CXTINCT

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Infineon Technologies 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 SIPMOS?  Infineon Technologies 系列 SIPMOS?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 SIPMOS?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 SIPMOS?   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-DSO-8  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-DSO-8  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-DSO-8  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-DSO-8   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.5nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.5nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.5nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.5nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 110 毫欧 @ 3.1A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 110 毫欧 @ 3.1A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 110 毫欧 @ 3.1A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 110 毫欧 @ 3.1A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A，2A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A，2A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A，2A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A，2A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA   漏源电压（Vdss） 60V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 2W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 2W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W