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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC022N03SG
  仓库库存编号：BSC022N03SGINCT-ND
  别名：BSC022N03SGINCT
  BSC022N03SGXTINCT
  BSC022N03SGXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N03SG
  仓库库存编号：BSC032N03SGINCT-ND
  别名：BSC032N03SGINCT
  BSC032N03SGXTINCT
  BSC032N03SGXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），50A（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03ST
  仓库库存编号：BSC042N03ST-ND
  别名：SP000014715
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta），89A（Tc） P-TDSON-8
  
  型号：BSC059N03ST
  仓库库存编号：BSC059N03ST-ND
  别名：SP000014717
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL307SPT
  仓库库存编号：BSL307SPT-ND
  别名：SP000012585
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL207SPL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL207SPL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL207SPXTINCT
  BSL207SPXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL211SPT
  仓库库存编号：BSL211SPXTINCT-ND
  别名：BSL211SPXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 14.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO201SPNTMA1
  仓库库存编号：BSO201SPNTMA1CT-ND
  别名：BSO201SPXTINCT
  BSO201SPXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4410T
  仓库库存编号：BSO4410XTINCT-ND
  别名：BSO4410XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4420T
  仓库库存编号：BSO4420XTINCT-ND
  别名：BSO4420XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：BSO4804T
  仓库库存编号：BSO4804XTINCT-ND
  别名：BSO4804XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4822T
  仓库库存编号：BSO4822XTINCT-ND
  别名：BSO4822XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO615CT
  仓库库存编号：BSO615CXTINCT-ND
  别名：BSO615CXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 370mA（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP123E6327T
  仓库库存编号：BSP123XTINCT-ND
  别名：BSP123XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP129E6327T
  仓库库存编号：BSP129XTINCT-ND
  别名：BSP129XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PE6327T
  仓库库存编号：BSP170PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP170PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP171PE6327T
  仓库库存编号：BSP171PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP171PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295E6327T
  仓库库存编号：BSP295XTINCT-ND
  别名：BSP295XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315PE6327T
  仓库库存编号：BSP315PXTINCT-ND
  别名：BSP315PXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327T
  仓库库存编号：BSP316PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP316PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP317PE6327T
  仓库库存编号：BSP317PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP317PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.7W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP88L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP88L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP88L6327
  BSP88L6327INCT
  BSP88L6327INCT-ND
  BSP88XTINCT
  BSP88XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327T
  仓库库存编号：BSS192PE6327XTINCT-ND
  别名：BSS192PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87E6327T
  仓库库存编号：BSS87XTINCT-ND
  别名：BSS87XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N50C3T
  仓库库存编号：SPD04N50C3XTINCT-ND
  别名：SPD04N50C3XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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