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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 100A 312W TO247
  详细描述：IGBT 600V 100A 312W Through Hole TO-247
  
  型号：AOK50B60D1
  仓库库存编号：785-1624-5-ND
  别名：785-1624-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 23A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP50R140CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP50R140CPXKSA1-ND
  别名：SP000680932
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 290W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40N60SFTU
  仓库库存编号：FGH40N60SFTUFS-ND
  别名：FGH40N60SFTU-ND
  FGH40N60SFTUFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 40V 33A, 156A 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6
  
  型号：FDMD8540L
  仓库库存编号：FDMD8540LCT-ND
  别名：FDMD8540LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF290N80
  仓库库存编号：FCPF290N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC40STRLPBFCT-ND
  别名：IRFBC40STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：NTMFD4C85NT1G
  仓库库存编号：NTMFD4C85NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFD4C85NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1300V 63A 250W TO3P
  详细描述：IGBT 1300V 63A 250W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWT38IH130D
  仓库库存编号：497-12254-ND
  别名：497-12254
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA19N60
  仓库库存编号：FQA19N60FS-ND
  别名：FQA19N60-ND
  FQA19N60FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH30KDPBF
  仓库库存编号：IRG4PH30KDPBF-ND
  别名：*IRG4PH30KDPBF
  SP001536034
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  T8 60V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta）, 250A（Tc） 3.3W（Ta）, 160W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5H600NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5H600NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5H600NLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 42A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 42A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC40KDPBF
  仓库库存编号：IRG4PC40KDPBF-ND
  别名：*IRG4PC40KDPBF
  SP001533612
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB13N80K5
  仓库库存编号：497-13860-1-ND
  别名：497-13860-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF13N80
  仓库库存编号：FQAF13N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 23A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 227W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP165N60E
  仓库库存编号：FCP165N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 90A 285W TO247
  详细描述：IGBT 600V 90A 285W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGW45NC60WD
  仓库库存编号：497-10092-5-ND
  别名：497-10092-5
  STGW45NC60WD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB35N60DM2
  仓库库存编号：497-16357-1-ND
  别名：497-16357-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH190N65F_F155
  仓库库存编号：FCH190N65F_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 40A 290W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 650V 80A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40N65UFDTU_F085
  仓库库存编号：FGH40N65UFDTU_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 28A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP130N60
  仓库库存编号：FCP130N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH190N65F_F085
  仓库库存编号：FCH190N65F_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 200W TO247
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW20NC60V
  仓库库存编号：497-4356-5-ND
  别名：497-4356-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 3.8W（Ta）, 214W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0250N807L
  仓库库存编号：FDB0250N807LCT-ND
  别名：FDB0250N807LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 30A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 30A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH40KDPBF
  仓库库存编号：IRG4PH40KDPBF-ND
  别名：*IRG4PH40KDPBF
  SP001544794
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 290W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40N60SFDTU_F085
  仓库库存编号：FGH40N60SFDTU_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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