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FDMD8540L - 

MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER

Fairchild/ON Semiconductor FDMD8540L
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FDMD8540L
仓库库存编号：
FDMD8540LCT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 40V 33A, 156A 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。

FDMD8540L产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerWDFN  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  PowerTrench?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-Power 5x6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  113nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.5 毫欧 @ 33A，10V  
  FET 类型  2 个 N 通道（半桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  33A，156A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  7940pF @ 20V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  40V  
  功率 - 最大值  2.3W  
关键词         

产品资料
数据列表 FDMD8540L
应用说明 Introduction to Power MOSFETs
MOSFET Basics
PowerTrench MOSFET Datasheet Expanation
Power MOSFET Avalanche Guideline
RoHS指令信息 FDMD8540L Material Declaration
FDMD8540L Cert of Compliance
标准包装 1
其它名称 FDMD8540LCT

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