产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号：
RN1102MFV,L3F
仓库库存编号：
RN1102MFVL3FCT-ND
别名：RN1102MFV(TL3T)CT
RN1102MFV(TL3T)CT-ND
RN1102MFVL3F(BCT
RN1102MFVL3F(BCT-ND
RN1102MFVL3FCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN4982FE,LF(CB
仓库库存编号：
RN4982FELF(CBCT-ND
别名：RN4982FE(T5LFT)CT
RN4982FE(T5LFT)CT-ND
RN4982FELF(CBCT
RN4982FELF(CTCT
RN4982FELF(CTCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
型号：
RN2314(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2314(TE85LF)CT-ND
别名：RN2314(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
型号：
RN1318(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1318(TE85LF)CT-ND
别名：RN1318(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
型号：
RN2315TE85LF
仓库库存编号：
RN2315TE85LFCT-ND
别名：RN2315TE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1102T5LFT
仓库库存编号：
RN1102T5LFTCT-ND
别名：RN1102T5LFTCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1962FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1962FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1962FE(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
型号：
RN2702TE85LF
仓库库存编号：
RN2702TE85LFCT-ND
别名：RN2702TE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN4602TE85LF
仓库库存编号：
RN4602TE85LFCT-ND
别名：RN4602TE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 200mW Surface Mount SOT-323-3
型号：
PDTC143XU,115
仓库库存编号：
1727-1713-1-ND
别名：1727-1713-1
568-11255-1
568-11255-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 200mW Surface Mount SOT-323-3
型号：
PDTC143XU,115
仓库库存编号：
1727-1713-6-ND
别名：1727-1713-6
568-11255-6
568-11255-6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号：
PDTA143XT,215
仓库库存编号：
1727-1698-1-ND
别名：1727-1698-1
568-11237-1
568-11237-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号：
PDTA143XT,215
仓库库存编号：
1727-1698-6-ND
别名：1727-1698-6
568-11237-6
568-11237-6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号：
RN1416,LF
仓库库存编号：
RN1416LFCT-ND
别名：RN1416LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN2102,LF(CT
仓库库存编号：
RN2102LF(CTCT-ND
别名：RN2102(T5LFT)CT
RN2102(T5LFT)CT-ND
RN2102LF(CTCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1114(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1114(T5LFT)CT-ND
别名：RN1114(T5LFT)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号：
RN2118MFV(TPL3)
仓库库存编号：
RN2118MFV(TPL3)CT-ND
别名：RN2118MFV(TPL3)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
型号：
RN2318(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2318(TE85LF)CT-ND
别名：RN2318(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN2114(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2114(TE85LF)CT-ND
别名：RN2114(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1902T5LFT
仓库库存编号：
RN1902T5LFTCT-ND
别名：RN1902T5LFTCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN2102ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2102ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN2102ACT(TPL3)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号：
RN1418(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1418(TE85LF)CT-ND
别名：RN1418(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN1602(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1602(TE85LF)CT-ND
别名：RN1602(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2962(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2962(TE85LF)CT-ND
别名：RN2962(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN1502(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1502(TE85LF)CT-ND
别名：RN1502(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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