RN2702TE85LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

RN2702TE85LF - 

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

  • 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
Toshiba Semiconductor and Storage RN2702TE85LF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
RN2702TE85LF
仓库库存编号：
RN2702TE85LFCT-ND
描述：
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。

RN2702TE85LF产品属性


产品规格
  封装/外壳  5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  USV  
  晶体管类型  2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  50 @ 10mA，5V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  500nA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 250μA，5mA  
  频率 - 跃迁  200MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  10k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  10k  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 RN2701-2706
标准包装 1
其它名称 RN2702TE85LFCT

RN2702TE85LF相关搜索

封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 USV  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 USV  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 USV  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 USV   晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA   频率 - 跃迁 200MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 200MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 200MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  Toshiba Semiconductor and Storage 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k   功率 - 最大值 200mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 200mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号