产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ130N03LS G
仓库库存编号：
BSZ130N03LSGINCT-ND
别名：BSZ130N03LSGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.57W（Ta），26.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA14DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA14DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA14DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
型号：
SI4447DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4447DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4447DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 42A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Ta），85A（Tc） 6.2W（Ta），48W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6358
仓库库存编号：
785-1739-1-ND
别名：785-1739-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），79A（Tc） 850mW（Ta），43W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4932NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4932NTAGOSCT-ND
别名：NTTFS4932NTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4174DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4174DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4174DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 820mW（Ta），25.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4C08NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4C08NTAGOSCT-ND
别名：NTTFS4C08NTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），75A（Tc） 820mW（Ta）, 33W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4C05NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4C05NTAGOSCT-ND
别名：NTTFS4C05NTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SISS27DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS27DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS27DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 4.5W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA12DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA12DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA12DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8
型号：
BSC150N03LD G
仓库库存编号：
BSC150N03LD GCT-ND
别名：BSC150N03LD GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），136A（Tc） 3.1W（Ta）, 64W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C03NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C03NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4C03NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 31A 3.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
型号：
AON6992
仓库库存编号：
785-1747-1-ND
别名：785-1747-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），40W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA10DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA10DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA10DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC025N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC025N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC025N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03LSGINCT
BSC025N03LSGINCT-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 2.2W（Ta） SOT-223-4
型号：
FDT86106LZ
仓库库存编号：
FDT86106LZCT-ND
别名：FDT86106LZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ918DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ918DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ918DT-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8
型号：
BSC072N03LD G
仓库库存编号：
BSC072N03LD GCT-ND
别名：BSC072N03LD GCT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7635DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7635DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7635DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90P04P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPD90P04P4L04ATMA1CT-ND
别名：IPD90P04P4L04ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC011N03LS
仓库库存编号：
BSC011N03LSCT-ND
别名：BSC011N03LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA00DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA00DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB009N03L G
仓库库存编号：
IPB009N03L GCT-ND
别名：IPB009N03L GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 105A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），105A（Tc） 1.9W（Ta），176W（Tc） TO-220
型号：
AOT240L
仓库库存编号：
785-1270-5-ND
别名：785-1270-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA,
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