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SISS27DN-T1-GE3 - 

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Vishay Siliconix SISS27DN-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SISS27DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS27DN-T1-GE3CT-ND
描述：
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。

SISS27DN-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -50°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  140nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  5.6 毫欧 @ 15A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  50A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  5250pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.2V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  4.8W（Ta），57W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 SiSS27DN
标准包装 1
其它名称 SISS27DN-T1-GE3CT

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