SQ1912AEEH-T1_GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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SQ1912AEEH-T1_GE3 - 

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C M

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Vishay Siliconix SQ1912AEEH-T1_GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SQ1912AEEH-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ1912AEEH-T1_GE3-ND
描述：
DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C M
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SQ1912AEEH-T1_GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  PowerPAK? SC-70-6 双  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAK? SC-70-6 双  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  280 毫欧 @ 1.2A，4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  800mA（Tc）  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  20V  
  功率 - 最大值  1.5W  
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产品资料
数据列表 SQ1912AEEH
标准包装 3,000

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