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产品规格

封装/外壳	8-PowerWDFN
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	TrenchFET? Gen IV
零件状态	在售
供应商器件封装	8-PowerPair?
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	19nC @ 10V，41nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	40A（Tc），60A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	925pF @ 10V，2150pF @ 10V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	25V
功率 - 最大值	20.2W，40W
关键词

产品资料

数据列表	SIZ926DT
标准包装	1
其它名称	SIZ926DT-T1-GE3CT

封装/外壳 8-PowerWDFN  Vishay Siliconix 封装/外壳 8-PowerWDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 TrenchFET? Gen IV  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET? Gen IV  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET? Gen IV  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET? Gen IV   零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-PowerPair?  Vishay Siliconix 供应商器件封装 8-PowerPair?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-PowerPair?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-PowerPair?   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V，41nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V，41nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V，41nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V，41nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V  Vishay Siliconix 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.8 毫欧 @ 5A，10V，2.2 毫欧 @ 8A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Vishay Siliconix FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Tc），60A（Tc）  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Tc），60A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Tc），60A（Tc）  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Tc），60A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 925pF @ 10V，2150pF @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 925pF @ 10V，2150pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 925pF @ 10V，2150pF @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 925pF @ 10V，2150pF @ 10V   FET 功能 标准  Vishay Siliconix FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 25V  Vishay Siliconix 漏源电压（Vdss） 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 25V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 25V   功率 - 最大值 20.2W，40W  Vishay Siliconix 功率 - 最大值 20.2W，40W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 20.2W，40W  Vishay Siliconix 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 20.2W，40W