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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商	Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 30mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Power - Max	625mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 2mA，20mA
频率 - 跃迁	50MHz
关键词

产品资料

标准包装	1,000

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 通孔  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -   系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 30mA，10V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 30mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 30mA，10V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 30mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  Vishay Semiconductor Diodes Division Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V   Power - Max 625mW  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 625mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 625mW  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 625mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Vishay Semiconductor Diodes Division 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  Vishay Semiconductor Diodes Division Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 2mA，20mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 2mA，20mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 2mA，20mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 2mA，20mA   频率 - 跃迁 50MHz  Vishay Semiconductor Diodes Division 频率 - 跃迁 50MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 50MHz  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 50MHz