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HN3C10FUTE85LF - 

TRANSISTOR NPN US6

  • 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
HN3C10FUTE85LF
仓库库存编号：
HN3C10FUTE85LFCT-ND
描述：
TRANSISTOR NPN US6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HN3C10FUTE85LF产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  US6  
  晶体管类型  2 NPN（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  80 @ 20mA，10V  
  频率 - 跃迁  7GHz  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  80mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  12V  
  增益  11.5dB  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  1.1dB @ 1GHz  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 HN3C10FUTE85LFCT

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