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产品规格

封装/外壳	8-PowerWDFN
制造商	Texas Instruments
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	NexFET??
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-WSON（3.3x3.3）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	28nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	2 N 沟道（双）共漏
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4290pF @ 15V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	2.7W
关键词

产品资料

数据列表	CSD87313DMS Datasheet
制造商产品页	CSD87313DMST Specifications
标准包装	1
其它名称	296-46623-1

封装/外壳 8-PowerWDFN  Texas Instruments 封装/外壳 8-PowerWDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 NexFET??  Texas Instruments 系列 NexFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 NexFET??  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 NexFET??   包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Texas Instruments 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-WSON（3.3x3.3）  Texas Instruments 供应商器件封装 8-WSON（3.3x3.3）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-WSON（3.3x3.3）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-WSON（3.3x3.3）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V  Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Texas Instruments 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  Texas Instruments FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）共漏   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Texas Instruments 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4290pF @ 15V  Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4290pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4290pF @ 15V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4290pF @ 15V   FET 功能 标准  Texas Instruments FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Texas Instruments 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 2.7W  Texas Instruments 功率 - 最大值 2.7W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.7W  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.7W