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TSM2NB60CH C5G - 

MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA

  • 已过时的产品。
Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB60CH C5G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TSM2NB60CH C5G
仓库库存编号：
TSM2NB60CH C5G-ND
描述：
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 44W（Tc） TO-251（IPAK）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TSM2NB60CH C5G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  
  制造商  Taiwan Semiconductor Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-251（IPAK）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  9.4nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  4.4 欧姆 @ 1A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  2A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  249pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  44W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 TSM2NB60CH, TSM2N60CP
标准包装 75

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