TSM2537CQ RFG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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TSM2537CQ RFG - 

MOSFET, COMPLEMENTARY, N-CHANNEL

  • 新产品 
Taiwan Semiconductor Corporation TSM2537CQ RFG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TSM2537CQ RFG
仓库库存编号：
TSM2537CQ RFGDKR-ND
描述：
MOSFET, COMPLEMENTARY, N-CHANNEL
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 20V 11.6A (Tc), 9A (Tc) 6.25W Surface Mount 6-TDFN (2x2)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TSM2537CQ RFG产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VDFN 裸露焊盘  
  制造商  Taiwan Semiconductor Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  -Reel?   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-TDFN（2x2）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  11.6A（Tc），9A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  677pF @ 10V，744pF @ 10V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  20V  
  功率 - 最大值  6.25W  
关键词         

产品资料
数据列表 TSM2537CQ
标准包装 1
其它名称 TSM2537CQ RFGDKR

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