TSM250N02DCQ RFG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

TSM250N02DCQ RFG - 

MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,

  • 新产品 
Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ RFG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TSM250N02DCQ RFG
仓库库存编号:
TSM250N02DCQ RFGCT-ND
描述:
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

TSM250N02DCQ RFG产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VDFN 裸露焊盘  
  制造商  Taiwan Semiconductor Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-TDFN(2x2)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  7.7nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  25 毫欧 @ 4A,4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  5.8A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  775pF @ 10V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  800mV @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  620mW  
关键词         

产品资料
数据列表 TSM250N02D
标准包装 1
其它名称 TSM250N02DCQ RFGCT

TSM250N02DCQ RFG相关搜索

封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带(CT)   Taiwan Semiconductor Corporation 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)   Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 6-TDFN(2x2)  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 6-TDFN(2x2)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-TDFN(2x2)  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-TDFN(2x2)   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.7nC @ 4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.7nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.7nC @ 4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7.7nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 4A,4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 4A,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 4A,4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 4A,4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Taiwan Semiconductor Corporation FET 类型 2 个 N 沟道(双)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc)  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc)  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.8A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 775pF @ 10V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 775pF @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 775pF @ 10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 775pF @ 10V   FET 功能 标准  Taiwan Semiconductor Corporation FET 功能 标准  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA   漏源电压(Vdss) 20V  Taiwan Semiconductor Corporation 漏源电压(Vdss) 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V   功率 - 最大值 620mW  Taiwan Semiconductor Corporation 功率 - 最大值 620mW  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 620mW  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 620mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号