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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	D2PAK
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	10 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450V
Power - Max	70W
电流 - 集电极截止（最大值）	100μA
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.1V @ 500mA，2.5A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

标准包装	50

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  STMicroelectronics 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 D2PAK  STMicroelectronics 供应商器件封装 D2PAK  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 D2PAK  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 D2PAK   晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 10mA，5V  STMicroelectronics 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 10mA，5V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V   Power - Max 70W  STMicroelectronics Power - Max 70W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 70W  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 70W   电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100μA   Current - Collector (Ic) (Max) 4A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 4A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 4A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.1V @ 500mA，2.5A  STMicroelectronics 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.1V @ 500mA，2.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.1V @ 500mA，2.5A  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.1V @ 500mA，2.5A   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -