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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220ML
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	140 @ 500mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Power - Max	2W
电流 - 集电极截止（最大值）	-
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	100MHz
关键词

产品资料

标准包装	100
其它名称	869-1066

封装/外壳 TO-220-3 整包  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 制造商 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation   安装类型 通孔  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -   系列 -  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 过期  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220ML  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 供应商器件封装 TO-220ML  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220ML  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220ML   晶体管类型 NPN  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 500mA，5V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 500mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 500mA，5V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 500mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V   Power - Max 2W  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation Power - Max 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W   电流 - 集电极截止（最大值） -  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） -  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） -   Current - Collector (Ic) (Max) 3A  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 100MHz  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz