关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	12-SIP
制造商	Sanken
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	12-SIP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	140 毫欧 @ 5A，4V
FET 类型	3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10A，6A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	460pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	5W
关键词

产品资料

数据列表	SLA5061
标准包装	1,080
其它名称	SLA5061 DK

封装/外壳 12-SIP  Sanken 封装/外壳 12-SIP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 12-SIP  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 12-SIP   制造商 Sanken  Sanken 制造商 Sanken  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Sanken  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Sanken   安装类型 通孔  Sanken 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Sanken 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Sanken 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 散装   Sanken 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装   Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  Sanken 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 12-SIP  Sanken 供应商器件封装 12-SIP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 12-SIP  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 12-SIP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Sanken 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 5A，4V  Sanken 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 5A，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 5A，4V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 5A，4V   FET 类型 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）  Sanken FET 类型 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A，6A  Sanken 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A，6A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A，6A  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A，6A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 460pF @ 10V  Sanken 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 460pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 460pF @ 10V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 460pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Sanken FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Sanken 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   漏源电压（Vdss） 60V  Sanken 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 5W  Sanken 功率 - 最大值 5W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 5W  Sanken 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 5W