PMCXB1000UEZ,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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PMCXB1000UEZ - 

MOSFET ARRAY N/PCH 30V DFN1010B6

Nexperia USA Inc. PMCXB1000UEZ
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PMCXB1000UEZ
仓库库存编号：
1727-2737-1-ND
描述：
MOSFET ARRAY N/PCH 30V DFN1010B6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 590mA (Ta), 410mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount DFN1010B-6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PMCXB1000UEZ产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-XFDFN 裸露焊盘  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DFN1010B-6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1.05nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  670 毫欧 @ 590mA，4.5V，1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道互补型  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  590mA（Ta），410mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  30.3pF @ 15V，43.2pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  950mV @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  285mW（Ta）  
关键词         

产品资料
数据列表 PMCXB1000UE
标准包装 1
其它名称 1727-2737-1
568-13301-1
568-13301-1-ND

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