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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Microchip Technology
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-252
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	700V
Power - Max	2.5W
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
测试条件	-
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	3.5A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	5V @ 13V，3A
25°C 时 Td（开/关）值	8ns/20ns
关键词

产品资料

数据列表	GN2470
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 11/Dec/2014
PCN 封装	Label and Packing Changes 23/Sep/2015
标准包装	2,000

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Microchip Technology 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 制造商 Microchip Technology  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microchip Technology   安装类型 表面贴装  Microchip Technology 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microchip Technology 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Microchip Technology 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Microchip Technology 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-252  Microchip Technology 供应商器件封装 TO-252  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252   输入类型 标准  Microchip Technology 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 700V  Microchip Technology Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 700V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 700V  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 700V   Power - Max 2.5W  Microchip Technology Power - Max 2.5W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 2.5W  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 2.5W   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Microchip Technology Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   测试条件 -  Microchip Technology 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  Microchip Technology 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 3.5A  Microchip Technology Current - Collector Pulsed (Icm) 3.5A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 3.5A  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 3.5A   IGBT 类型 -  Microchip Technology IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 13V，3A  Microchip Technology 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 13V，3A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 13V，3A  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 13V，3A   25°C 时 Td（开/关）值 8ns/20ns  Microchip Technology 25°C 时 Td（开/关）值 8ns/20ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 8ns/20ns  Microchip Technology 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 8ns/20ns