FD6M016N03,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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FD6M016N03 - 

MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor FD6M016N03
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FD6M016N03
仓库库存编号:
FD6M016N03-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 80A Through Hole EPM15
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FD6M016N03产品属性


产品规格
  封装/外壳  EPM15  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  Power-SPM??  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  EPM15  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  295nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.6 毫欧 @ 40A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  80A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  11535pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
标准包装 19

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