EPC2033ENGRT,EPC,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

EPC2033ENGRT - 

TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE

  • 增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
EPC EPC2033ENGRT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
EPC EPC
制造商产品编号:
EPC2033ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2033ENGRCT-ND
描述:
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 模具
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

EPC2033ENGRT产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  EPC  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  eGaN?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  模具  
  技术  GaNFET(氮化镓)  
  Vgs(最大值)  +6V,-4V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  10nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  7 毫欧 @ 25A,5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  31A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1140pF @ 75V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 9mA  
  功率耗散(最大值)  -  
  漏源电压(Vdss)  150V  
关键词         

产品资料
数据列表 EPC2033 Datasheet Preliminary~
应用说明 Assembling eGaN? FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN? FETs
标准包装 1
其它名称 917-1141-1
917-1141-1-ND
917-EPC2033ENGRCT

EPC2033ENGRT您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

EPC2033ENGRT相关搜索

封装/外壳 模具  EPC 封装/外壳 模具  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 模具  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 模具   制造商 EPC  EPC 制造商 EPC  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 EPC  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 EPC   安装类型 表面贴装  EPC 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  EPC 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)   系列 eGaN?  EPC 系列 eGaN?  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 eGaN?  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 eGaN?   包装 剪切带(CT)   EPC 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态  已不再提供  EPC 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 模具  EPC 供应商器件封装 模具  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 模具  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 模具   技术 GaNFET(氮化镓)  EPC 技术 GaNFET(氮化镓)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 GaNFET(氮化镓)  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 GaNFET(氮化镓)   Vgs(最大值) +6V,-4V  EPC Vgs(最大值) +6V,-4V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) +6V,-4V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) +6V,-4V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V  EPC 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 25A,5V  EPC 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 25A,5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 25A,5V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 25A,5V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V  EPC 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V   FET 类型 N 沟道  EPC FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Ta)  EPC 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Ta)  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 31A(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1140pF @ 75V  EPC 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1140pF @ 75V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1140pF @ 75V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1140pF @ 75V   FET 功能 -  EPC FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 9mA  EPC 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 9mA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 9mA  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 9mA   功率耗散(最大值) -  EPC 功率耗散(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) -  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) -   漏源电压(Vdss) 150V  EPC 漏源电压(Vdss) 150V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 150V  EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 150V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号