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产品规格

封装/外壳	14-DIP（0.300"，7.62mm）
制造商	Central Semiconductor Corp
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-116
晶体管类型	2 NPN，2 PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 300mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）	30nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.4V @ 30mA，300mA
频率 - 跃迁	200MHz
功率 - 最大值	650mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	30V
关键词

产品资料

数据列表	MPQ6002, 6502
标准包装	25
其它名称	MPQ6426

封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）  Central Semiconductor Corp 封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）   制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 制造商 Central Semiconductor Corp  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Central Semiconductor Corp   安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Central Semiconductor Corp 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 管件   Central Semiconductor Corp 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件   Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-116  Central Semiconductor Corp 供应商器件封装 TO-116  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-116  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 TO-116   晶体管类型 2 NPN，2 PNP  Central Semiconductor Corp 晶体管类型 2 NPN，2 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN，2 PNP  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN，2 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 300mA，10V  Central Semiconductor Corp 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 300mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 300mA，10V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 300mA，10V   电流 - 集电极截止（最大值） 30nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极截止（最大值） 30nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 30nA（ICBO）  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 30nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.4V @ 30mA，300mA  Central Semiconductor Corp 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.4V @ 30mA，300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.4V @ 30mA，300mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.4V @ 30mA，300mA   频率 - 跃迁 200MHz  Central Semiconductor Corp 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 200MHz  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 200MHz   功率 - 最大值 650mW  Central Semiconductor Corp 功率 - 最大值 650mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 650mW  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 650mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Central Semiconductor Corp 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Central Semiconductor Corp 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V  Central Semiconductor Corp 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 30V