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STGP100N30

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制造商型号: STGP100N30
制造商: STMicroelectronics
描述: IGBT FAST 90A 330V TO-220
技术参考: Rohs ST(意法) STGP100N30 PDF
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产品信息
数据列表 STGx100N30
产品相片 t820t-6i
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 STripFET™
包装 管件
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿(最大值) 330V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 90A
Current - Collector Pulsed (Icm) -
功率 - 最大值 250W
Switching Energy -
输入类型 标准
Gate Charge -
Td (on/off) A 25°C -
Test Condition -
反向恢复时间 (trr) -
封装/外壳 TO-220-3
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
产品目录页面 1544 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-8782-5


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STMicroelectronics - STGP100N30 - IGBT 330V 90A 250W TO220
STMicroelectronics
IGBT 330V 90A 250W TO220

详细描述:IGBT 330V 90A 250W Through Hole TO-220
型号:STGP100N30
仓库库存编号:497-8782-5-ND
别名:497-8782-5
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STI42N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK 分离式半导体 > MOSFET - 单 http://www.szcwdz.com/IC_S/STI42N65M5.htm
STI4N62K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK 分离式半导体 > MOSFET - 单 http://www.szcwdz.com/IC_S/STI4N62K3.htm
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STI57N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3 ->Discrete Semiconductor Products->FETs - Single-> http://www.szcwdz.com/IC_S/STI57N65M5.htm
STI6N62K3 STMICROELECTRONICS MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK 分离式半导体 > MOSFET - 单 http://www.szcwdz.com/IC_S/STI6N62K3.htm

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意法半导体 (STMicroelectronics,通称ST;纽交所编码:STM)在IEDM2018国际性电子元器件展销会上,发布了内嵌内嵌式相变存储芯片(ePCM)的28nm FD-SOI小车微处理器(MCU)技术性的构架和特性标准,并从今天开始向关键顾客出示应用场景ePCM的微处理器样照,预估2020年依照小车运用规定进行当场实验,获得所有技术性验证。这种微处理器是全世界第一批应用ePCM的微处理器,将被用以汽车传动、优秀安全网关、安全性/ADAS系统软件及其车子电动式化。
随之小车系统软件的规定愈来愈高,提高解决工作能力、节能减排、更大仓储等要求驱使微处理器生产商开发的车配MCU构架。随之固件多元性和编码量陡然大幅度提高,对容积更大的内嵌式存储芯片的要求是当今汽车产业遭遇的较大挑戰之首。ePCM解决方法能够 摆脱这种芯片级和系统软件级的挑戰,考虑AEC-Q100 0级小车规范的规定,最大操作温度超过+165℃。除此之外,意法半导体的ePCM技术性确保在高溫回流焊炉工艺流程后固件/统计数据储存完好无损,而且防辐射,为统计数据出示大量的安全性维护。
在12月4日纽约2018年IEDM(国际性电子元器件)展销会上,意法半导体以1个28纳米技术FD-SOI小车微处理器的16MB EPCM列阵为例,详细介绍了其内嵌式相变存储芯片在构架和特性层面获得的最新消息。
意法半导体小车与吸收合并元器件产品部首席总裁Marco Monti表达:“根据运用ST的生产制造加工工艺、设计构思、技术性和特长,我们开发设计出1个自主创新的ePCM解决方法,变成第一家有工作能力融合这类非易失性存储器与28nmFD-SOI加工工艺,研发性能的功耗小车微处理器的生产商。如今样照早已送至一部分关键顾客手上,我们已经与顾客确定ePCM出色的溫度特性和考虑所有汽车规范的工作能力,积极主动的意见反馈切实加强了对于其运用普及化和销售市场取得成功的自信心。
技术细节
相变存储芯片(PCM)是选用锗锑碲(GST)铝合金做成,运用原材料的化学性质在非晶态和晶态中间的迅速热控转变来储存统计数据。非晶态相匹配逻辑性0,晶态相匹配逻辑性1,这二种情况在导电性特性上存有差别,非晶态电阻器高(逻辑性0),晶态电阻器低(逻辑性1)。另一个,闪存重写统计数据必须最少多次字节数或扇区擦写实际操作,而PCM服务支持单独数据位改动,进而简单化了数据储存全过程中的手机软件解决阶段。意法半导体的相变存储芯片归功于其与存储单元和适用高溫统计数据储存的GST铝合金有关的发明专利。

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