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STB5N52K3

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制造商型号: STB5N52K3
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
技术参考: Rohs ST(意法) STB5N52K3 PDF
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产品信息
数据列表 STx5N52K3
产品相片 TO-263
其它有关文件 STB5N52K3 View All Specifications
标准包装 1,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 SuperMESH3™
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 525V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 4.4A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 545pF @ 100V
功率 - 最大值 70W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
其它名称 497-11091-2
自家仓库 仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
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STB5N52K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK 查看库存、价格及货期
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STMicroelectronics - STB5N52K3 - MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 525V 4.4A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:STB5N52K3
仓库库存编号:497-11091-1-ND
别名:497-11091-1
无铅 0
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品牌资讯

跨过多种电子器件主要用途的全世界领跑的半导体材料经销商意法半导体(STMicroelectronics,通称ST;纽交所编码:STM)在其优秀的惯性力控制器内集成化深度学习技术性,提升手机上和穿戴设备的健身运动追踪特性和电池续航工作能力。
意法半导体发布具备深度学习作用的健身运动控制器 提升健身运动追踪精密度和电池续航工作能力
LSM6DSOX iNEMO™控制器內部集成化1个深度学习核心,可依据己知健身运动方式对健身运动统计数据开展归类解决,接任主CPU解决健身运动追踪的第一个环节每日任务,这类方式能够节能减排,加速运动健身纪录、身心健康检测、个人导航、摔倒检验运用等健身运动类手机应用程序的运作速率。
意法半导体仿真模拟、MEMS和控制器产品部高级副总裁Andrea Onetti表达:深度学习已大范畴用以网络媒介、金融业模型或无人驾驶等运用以提升模式识别的速率和高效率,LSM6DSOX健身运动控制器集成化了深度学习作用,可提高智能机和穿戴设备的健身运动追踪特性。”
配置意法半导体LSM6DSOX的机器设备能够为客户产生便捷、没有响应快速的“终究打开”的应用感受,且对电池续航時间没有危害。LSM6DSOX集成化于传统式控制器对比,增加了更大的存储空间,并配置最优秀的髙速I3C大数字插口,促使控制器与主控制板的互动间距更长,连接时间更短,环保节能节电实际效果更强。
该控制器便于集成化到流行移动平台应用芯片(比如:Android和iOS)上,可简化消費、诊疗和工业生产智能产品应用步骤。

询价

业务受理时间:周一至周五(上午9:00~下午18:00),下午17:00以前的订单当日发货,17:00往后的订单第二天发货(周日、节假日顺延),推荐合作货运物流:顺丰速递。速递费用:23元。
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邮箱:sales@szcwdz.com
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