品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR468DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR468DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR468DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9640PBF
仓库库存编号:
IRF9640PBF-ND
别名:*IRF9640PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP9240PBF
仓库库存编号:
IRFP9240PBF-ND
别名:*IRFP9240PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 6.1A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9640GPBF
仓库库存编号:
IRFI9640GPBF-ND
别名:*IRFI9640GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4618DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4618DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4618DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 125W(Tc)
型号:
IRF9640STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9640STRRPBFCT-ND
别名:IRF9640STRRPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR172ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR172ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR172ADP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9640STRLPBFCT-ND
别名:IRF9640STRLPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.9A(Tc) 96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ7N65E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ7N65E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHJ7N65E-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA26DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA26DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIRA26DP-T1-RE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 89W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ8N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ8N60E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHJ8N60E-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 28W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS472ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS472ADN-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ464EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ464EP-T1_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4168DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4168DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4168DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4618DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4618DY-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9640LPBF
仓库库存编号:
IRF9640LPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9640
仓库库存编号:
IRF9640-ND
别名:*IRF9640
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
详细描述:通孔 P 沟道 200V 12A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP9240
仓库库存编号:
IRFP9240-ND
别名:*IRFP9240
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640S
仓库库存编号:
IRF9640S-ND
别名:*IRF9640S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640STRL
仓库库存编号:
IRF9640STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.1A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9640G
仓库库存编号:
IRFI9640G-ND
别名:*IRFI9640G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9640L
仓库库存编号:
IRF9640L-ND
别名:*IRF9640L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9640STRR
仓库库存编号:
IRF9640STRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
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