SI4618DY-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SI4618DY-T1-GE3 - 

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

  • 非库存货
Vishay Siliconix SI4618DY-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI4618DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4618DY-T1-GE3-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SO
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI4618DY-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchFET?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  44nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  17 毫欧 @ 8A,10V  
  FET 类型  2 个 N 通道(半桥)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  8A,15.2A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1535pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  1.98W,4.16W  
关键词         

产品资料
数据列表 SI4618DY-T1-(G)E3
标准包装 2,500

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