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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 3.9W(Ta),48W(Tc) TO-252-3
型号:
MTD3055V
仓库库存编号:
MTD3055VCT-ND
别名:MTD3055VCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.4A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
型号:
NTMD5838NLR2G
仓库库存编号:
NTMD5838NLR2GOSCT-ND
别名:NTMD5838NLR2GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC653N
仓库库存编号:
FDC653NCT-ND
别名:FDC653NCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA86551L
仓库库存编号:
FDMA86551LCT-ND
别名:FDMA86551LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Ta) 2.1W(Ta) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDM3622
仓库库存编号:
FDM3622CT-ND
别名:FDM3622CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) I-Pak
型号:
FQU11P06TU
仓库库存编号:
FQU11P06TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N30TM
仓库库存编号:
FQD7N30TMCT-ND
别名:FQD7N30TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7A 800mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
型号:
FDMB3900AN
仓库库存编号:
FDMB3900ANCT-ND
别名:FDMB3900ANCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD11P06TM
仓库库存编号:
FQD11P06TMCT-ND
别名:FQD11P06TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 11.4A(Tc) 53W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP11P06
仓库库存编号:
FQP11P06-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FCD900N60Z
仓库库存编号:
FCD900N60ZCT-ND
别名:FCD900N60ZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 52W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
FCU900N60Z
仓库库存编号:
FCU900N60Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),36A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD26AN06A0_F085
仓库库存编号:
FDD26AN06A0_F085CT-ND
别名:FDD26AN06A0_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF7N60NZ
仓库库存编号:
FDPF7N60NZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF680N10T
仓库库存编号:
FDPF680N10T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
FDU7N60NZTU
仓库库存编号:
FDU7N60NZTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 147W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP7N60NZ
仓库库存编号:
FDP7N60NZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
型号:
FDMD82100
仓库库存编号:
FDMD82100CT-ND
别名:FDMD82100CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.4A(Tc) 3.13W(Ta),53W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB11P06TM
仓库库存编号:
FQB11P06TMCT-ND
别名:FQB11P06TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 8.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF11P06
仓库库存编号:
FQPF11P06FS-ND
别名:FQPF11P06-ND
FQPF11P06FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Tc) 96W(Tc) DPAK
型号:
NDD03N80ZT4G
仓库库存编号:
NDD03N80ZT4GOSCT-ND
别名:NDD03N80ZT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT459N
仓库库存编号:
FDT459NFSCT-ND
别名:FDT459NFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A, 7.9A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6986AS
仓库库存编号:
FDS6986ASCT-ND
别名:FDS6986ASCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF7N60NZT
仓库库存编号:
FDPF7N60NZT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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