FQU11P06TU,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FQU11P06TU
FQU11P06TU -
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FQU11P06TU
仓库库存编号:
FQU11P06TU-ND
描述:
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) I-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
FQU11P06TU产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
QFET?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
I-Pak
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
17nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
185 毫欧 @ 4.7A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.4A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
550pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),38W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
FQD11P06, FQU11P06
标准包装
70
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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型号:
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仓库库存编号:
S7018-ND
别名:PPTC201LFBNRC
S7018
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
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详细描述:通孔 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
FQU17P06TU
仓库库存编号:
FQU17P06TU-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
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详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Ta) 830mW(Ta) TO-92-3
型号:
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型号:
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OSTOQ043250-ND
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型号:
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455-2249
B4B-XH-A(LF)(SN);
B4BXHALFSN
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),38W(Tc)
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Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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