品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT18M100B
仓库库存编号:
APT18M100B-ND
别名:APT18M100BMI
APT18M100BMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
型号:
APT40GR120B2D30
仓库库存编号:
APT40GR120B2D30-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 780W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT43M60L
仓库库存编号:
APT43M60L-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole
型号:
APT40GP60B2DQ2G
仓库库存编号:
APT40GP60B2DQ2G-ND
别名:APT40GP60B2DQ2GMP
APT40GP60B2DQ2GMP-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 100A 543W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT40GP90BG
仓库库存编号:
APT40GP90BG-ND
别名:APT40GP90BGMI
APT40GP90BGMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 96A 543W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GP120BG
仓库库存编号:
APT35GP120BG-ND
别名:APT35GP120BGMI
APT35GP120BGMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT5010B2FLLG
仓库库存编号:
APT5010B2FLLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
APT31M100L
仓库库存编号:
APT31M100L-ND
别名:APT31M100LMP
APT31M100LMP-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT24M120B2
仓库库存编号:
APT24M120B2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
型号:
APT35GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT35GP120B2DQ2G-ND
别名:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT66F60B2
仓库库存编号:
APT66F60B2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT37M100B2
仓库库存编号:
APT37M100B2-ND
别名:APT37M100B2MI
APT37M100B2MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 135A 781W TO264
详细描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT50GF120LRG
仓库库存编号:
APT50GF120LRG-ND
别名:APT50GF120LRGMI
APT50GF120LRGMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 403W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT10078BLLG
仓库库存编号:
APT10078BLLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT26F120L
仓库库存编号:
APT26F120L-ND
别名:APT26F120LMI
APT26F120LMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 31A(Tc) 355W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30F60J
仓库库存编号:
APT30F60J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 64VWM 103VC PLAD
型号:
MPLAD15KP64A
仓库库存编号:
1086-7292-ND
别名:1086-7292
1086-7292-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 36VWM 58.1VC PLAD
型号:
MPLAD15KP36A
仓库库存编号:
1086-7256-ND
别名:1086-7256
1086-7256-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 26VWM 42.1VC PLAD
型号:
MPLAD15KP26A
仓库库存编号:
1086-7240-ND
别名:1086-7240
1086-7240-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号:
MPLAD15KP85A
仓库库存编号:
1086-7324-ND
别名:1086-7324
1086-7324-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 87A 284W SOT-227
详细描述:IGBT Module PT Single 900V 87A 284W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT46GA90JD40
仓库库存编号:
APT46GA90JD40-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 416W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227
型号:
APT75GT120JU2
仓库库存编号:
APT75GT120JU2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 25A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT25M100J
仓库库存编号:
APT25M100J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 18A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT17F120J
仓库库存编号:
APT17F120J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 41A(Tc) 378W(Tc) SOT-227
型号:
APT5010JLLU2
仓库库存编号:
APT5010JLLU2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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