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APT30F60J - 

MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Microsemi Corporation APT30F60J
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APT30F60J
仓库库存编号:
APT30F60J-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 31A(Tc) 355W(Tc) ISOTOP?
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APT30F60J产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4,miniBLOC  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  POWER MOS 8??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  ISOTOP?  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  215nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  150 毫欧 @ 21A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  31A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  8590pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 2.5mA  
  功率耗散(最大值)  355W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 APT30F60J
标准包装 1

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