品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Microsemi Corporation
TVS DIODE 43VWM 69.4VC PLAD
型号:
MPLAD30KP43CAE3
仓库库存编号:
1086-7455-ND
别名:1086-7455
1086-7455-MIL
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M75JFLL
仓库库存编号:
APT60M75JFLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 60W(Tc) 960W(Tc) SOT-227
型号:
APT58M80J
仓库库存编号:
APT58M80J-ND
别名:APT58M80JMI
APT58M80JMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 215A 625W SOT227
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT150GN120JDQ4
仓库库存编号:
APT150GN120JDQ4-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 57A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT53F80J
仓库库存编号:
APT53F80J-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 88A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M38JLL
仓库库存编号:
APT50M38JLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 70A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M60JFLL
仓库库存编号:
APT60M60JFLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 37A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10021JLL
仓库库存编号:
APT10021JLL-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 36A 250W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GT120BRG
仓库库存编号:
APT15GT120BRG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 65A 290W TO-247
详细描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT36GA60B
仓库库存编号:
APT36GA60B-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30N60BC6
仓库库存编号:
APT30N60BC6-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 110A 446W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GT60BRG
仓库库存编号:
APT50GT60BRG-ND
别名:APT50GT60BRGMI
APT50GT60BRGMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 650V 134A 595W TO-247
详细描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247
型号:
APT70GR65B
仓库库存编号:
APT70GR65B-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 43A 174W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT20GT60BRDQ1G
仓库库存编号:
APT20GT60BRDQ1G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 78A 337W TO-247
详细描述:IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT43GA90B
仓库库存编号:
APT43GA90B-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 63A 290W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GA90BD15
仓库库存编号:
APT35GA90BD15-ND
别名:APT35GA90BD15MI
APT35GA90BD15MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 54A 250W SOT227
详细描述:IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GS60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT30GS60BRDQ2G-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 520W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT37F50B
仓库库存编号:
APT37F50B-ND
别名:APT37F50BMI
APT37F50BMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 65A 290W TO-247
详细描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT36GA60BD15
仓库库存编号:
APT36GA60BD15-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT18M80B
仓库库存编号:
APT18M80B-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 78A 337W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT43GA90BD30
仓库库存编号:
APT43GA90BD30-ND
别名:APT43GA90BD30MI
APT43GA90BD30MI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 53A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 417W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT53N60BC6
仓库库存编号:
APT53N60BC6-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 650V 208A 892W T-MAX
详细描述:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2]
型号:
APT95GR65B2
仓库库存编号:
APT95GR65B2-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 139W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1003RBLLG
仓库库存编号:
APT1003RBLLG-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 417W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT34N80B2C3G
仓库库存编号:
APT34N80B2C3G-ND
别名:APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND
品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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