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APT1003RBLLG - 

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

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Microsemi Corporation APT1003RBLLG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APT1003RBLLG
仓库库存编号:
APT1003RBLLG-ND
描述:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 4A(Tc) 139W(Tc) TO-247 [B]
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APT1003RBLLG产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  POWER MOS 7?  
  包装  管件   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  TO-247 [B]  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  34nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3 欧姆 @ 2A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  694pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  139W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  1000V  
关键词         

产品资料
数据列表 APT1003R(B,S)LL
标准包装 30

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