品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP295H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP295H6327XTSA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO150N03MD G
仓库库存编号:
BSO150N03MD GCT-ND
别名:BSO150N03MD GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 57.7A(Tc) 480.8W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R074C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R074C6XKSA1-ND
别名:SP000898650
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ105N04NS G
仓库库存编号:
BSZ105N04NSGINCT-ND
别名:BSZ105N04NSGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),78A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0904NSI
仓库库存编号:
BSC0904NSICT-ND
别名:BSC0904NSICT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5805TRPBF
仓库库存编号:
IRF5805TRPBFCT-ND
别名:IRF5805TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta),40A(Tc) 78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC252N10NSFGATMA1
仓库库存编号:
BSC252N10NSFGATMA1CT-ND
别名:BSC252N10NSF GCT
BSC252N10NSF GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.2A(Tc) 29.7W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA03N60C3
仓库库存编号:
SPA03N60C3IN-ND
别名:SP000216296
SPA03N60C3IN
SPA03N60C3XK
SPA03N60C3XKSA1
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),36A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ0909NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0909NSATMA1CT-ND
别名:BSZ0909NSCT
BSZ0909NSCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD03N60C3
仓库库存编号:
SPD03N60C3INCT-ND
别名:SPD03N60C3INCT
SPD03N60C3XTINCT
SPD03N60C3XTINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03MS G
仓库库存编号:
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名:BSZ130N03MSGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ100N03LSGINCT
BSZ100N03LSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta),18A(Tc) 2.1W(Ta),37W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0904NSI
仓库库存编号:
BSZ0904NSICT-ND
别名:BSZ0904NSICT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R520CPXKSA1-ND
别名:IPA50R520CP
IPA50R520CP-ND
SP000236076
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R385CP
仓库库存编号:
IPL60R385CPCT-ND
别名:IPL60R385CPCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 34W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L7R4ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L7R4ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R750P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R750P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R750P7ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R750P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R750P7AKMA1-ND
别名:SP001644620
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R750P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R750P7AKMA1-ND
别名:SP001644628
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 27W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R750P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R750P7XKSA1-ND
别名:SP001644602
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R750P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R750P7XKSA1-ND
别名:SP001644608
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD400N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD400N06NGBTMA1CT-ND
别名:IPD400N06NG
IPD400N06NGINCT
IPD400N06NGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S2L50ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S2L50ATMA1TR-ND
别名:IPG20N06S2L-50
IPG20N06S2L-50-ND
SP000613728
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
详细描述:Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 30V 15A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号:
BSC0925NDATMA1
仓库库存编号:
BSC0925NDATMA1-ND
别名:SP000934752
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S2L50AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S2L50AATMA1-ND
别名:SP001023842
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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