IPG20N06S2L50AATMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IPG20N06S2L50AATMA1 - 

MOSFET 2N-CH 8TDSON

  • 非库存货
Infineon Technologies IPG20N06S2L50AATMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IPG20N06S2L50AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S2L50AATMA1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 8TDSON
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-10
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IPG20N06S2L50AATMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101,OptiMOS?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TDSON-8-10  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  17nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  50 毫欧 @ 15A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  20A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  560pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 19μA  
  漏源电压(Vdss)  55V  
  功率 - 最大值  51W  
关键词         

产品资料
数据列表 IPG20N06S2L-50A
标准包装 5,000
其它名称 SP001023842

IPG20N06S2L50AATMA1相关搜索

封装/外壳 8-PowerVDFN  Infineon Technologies 封装/外壳 8-PowerVDFN  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 汽车级,AEC-Q101,OptiMOS?  Infineon Technologies 系列 汽车级,AEC-Q101,OptiMOS?  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,OptiMOS?  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101,OptiMOS?   包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TDSON-8-10  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TDSON-8-10  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TDSON-8-10  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TDSON-8-10   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 15A,10V  Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 15A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 15A,10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 15A,10V   FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Infineon Technologies FET 类型 2 个 N 沟道(双)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 560pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 19μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 19μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 19μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 19μA   漏源电压(Vdss) 55V  Infineon Technologies 漏源电压(Vdss) 55V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 55V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 55V   功率 - 最大值 51W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 51W  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 51W  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 51W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号