品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4310TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4310TRPBFCT-ND
别名:IRFL4310TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR120NPBFCT-ND
别名:*IRFR120NTRPBF
IRFR120NPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7303TRPBF
仓库库存编号:
IRF7303PBFCT-ND
别名:*IRF7303TRPBF
IRF7303PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),55A(Tc) 2.5W(Ta),66W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC123N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC123N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC123N08NS3 GCT
BSC123N08NS3 GCT-ND
BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta),42A(Tc) 60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC160N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),66W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ123N08NS3 G
仓库库存编号:
BSZ123N08NS3GINCT-ND
别名:BSZ123N08NS3GINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7204TRPBF
仓库库存编号:
IRF7204PBFCT-ND
别名:*IRF7204TRPBF
IRF7204PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520NPBF
仓库库存编号:
IRF520NPBF-ND
别名:*IRF520NPBF
SP001571310
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA04N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216299
SPA04N60C3
SPA04N60C3IN
SPA04N60C3IN-ND
SPA04N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB04N60C3
仓库库存编号:
SPB04N60C3INCT-ND
别名:SPB04N60C3INCT
SPB04N60C3XTINCT
SPB04N60C3XTINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 9.4A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120NPBF
仓库库存编号:
IRFU120NPBF-ND
别名:*IRFU120NPBF
SP001557678
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU04N60C3
仓库库存编号:
SPU04N60C3IN-ND
别名:SP000095850
SPU04N60C3-ND
SPU04N60C3BKMA1
SPU04N60C3IN
SPU04N60C3X
SPU04N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R180P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R180P7XKSA1-ND
别名:SP001606058
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7306TR
仓库库存编号:
IRF7306TR-ND
别名:SP001551228
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7104TRPBF
仓库库存编号:
IRF7104PBFCT-ND
别名:*IRF7104TRPBF
IRF7104PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7306TRPBF
仓库库存编号:
IRF7306PBFCT-ND
别名:*IRF7306TRPBF
IRF7306PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7326D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7326D2TRPBFCT-ND
别名:IRF7326D2TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7379TRPBF
仓库库存编号:
IRF7379PBFCT-ND
别名:*IRF7379TRPBF
IRF7379PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A
详细描述:N 沟道 45A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD135N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD135N08N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1TR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1-ND
IPD180N10N3GATMA1TR
SP000900132
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MV POWER MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
别名:IPD180N10N3GATMA1DKR
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSC032N04LSATMA1CT-ND
别名:BSC032N04LSATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 81W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R185P7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R185P7AUMA1CT-ND
别名:IPL60R185P7AUMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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