品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR9120NPBFCT-ND
别名:*IRFR9120NTRPBF
IRFR9120NPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N10S4L22AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND
别名:IPG20N10S4L22AATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7105TRPBF
仓库库存编号:
IRF7105PBFCT-ND
别名:*IRF7105TRPBF
IRF7105PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR4105ZTRPBFCT-ND
别名:*IRFR4105ZTRPBF
IRFR4105ZPBFCT
IRFR4105ZPBFCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR9N20DTRPBFCT-ND
别名:IRFR9N20DTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB07N60C3
仓库库存编号:
SPB07N60C3INCT-ND
别名:SPB07N60C3INCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA07N60C3
仓库库存编号:
SPA07N60C3IN-ND
别名:SP000216303
SPA07N60C3IN
SPA07N60C3XK
SPA07N60C3XKSA1
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4105ZPBF
仓库库存编号:
IRFU4105ZPBF-ND
别名:*IRFU4105ZPBF
SP001552434
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),53A(Tc) 2.5W(Ta),35W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC080N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC080N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC080N03MSGINCT
BSC080N03MSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU07N60C3
仓库库存编号:
SPU07N60C3IN-ND
别名:SP000101635
SPU07N60C3-ND
SPU07N60C3BKMA1
SPU07N60C3IN
SPU07N60C3X
SPU07N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7421D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7421D1PBFCT-ND
别名:*IRF7421D1TRPBF
IRF7421D1PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ088N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ088N03MSGINCT
BSZ088N03MSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO083N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO083N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO083N03MS GINCT
BSO083N03MS GINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 66W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ240N12NS3 G
仓库库存编号:
BSZ240N12NS3 GCT-ND
别名:BSZ240N12NS3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),45A(Tc) 3W(Ta),83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N06NATMA1
仓库库存编号:
IPD053N06NATMA1CT-ND
别名:IPD053N06N-ND
IPD053N06NATMA1CT
IPD053N06NCT
IPD053N06NCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),45A(Tc) 3W(Ta),83W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB057N06NATMA1
仓库库存编号:
IPB057N06NATMA1CT-ND
别名:IPB057N06N-ND
IPB057N06NATMA1CT
IPB057N06NCT
IPB057N06NCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 120W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R125G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R125G7XTMA1CT-ND
别名:IPT60R125G7XTMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ042N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ042N06NSATMA1CT-ND
别名:BSZ042N06NS
BSZ042N06NS-ND
BSZ042N06NSATMA1CT
BSZ042N06NSCT
BSZ042N06NSCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC039N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC039N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC039N06NS
BSC039N06NS-ND
BSC039N06NSATMA1CT
BSC039N06NSCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Ta),45A(Tc) 3W(Ta),83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP060N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPP060N06NAKSA1-ND
别名:IPP060N06N
IPP060N06N-ND
SP000917402
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N10S4L22ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND
别名:IPG20N10S4L22ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410TRPBF
仓库库存编号:
IRF9410PBFTR-ND
别名:IRF9410PBFTR
IRF9410TRPBF-ND
IRF9410TRPBFTR-ND
SP001551686
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520NPBF
仓库库存编号:
IRF9520NPBF-ND
别名:*IRF9520NPBF
Q5233848
SP001554524
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 20A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR4105ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFR4105ZTRL-ND
别名:SP001517348
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP07N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681030
SPP07N60C3
SPP07N60C3IN
SPP07N60C3IN-ND
SPP07N60C3X
SPP07N60C3XK
SPP07N60C3XTIN
SPP07N60C3XTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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