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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120NTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9120NPBFCT-ND
  别名：*IRFR9120NTRPBF
  IRFR9120NPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N10S4L22AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND
  别名：IPG20N10S4L22AATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7105TRPBF
  仓库库存编号：IRF7105PBFCT-ND
  别名：*IRF7105TRPBF
  IRF7105PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4105ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR4105ZTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR4105ZTRPBF
  IRFR4105ZPBFCT
  IRFR4105ZPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR9N20DTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB07N60C3
  仓库库存编号：SPB07N60C3INCT-ND
  别名：SPB07N60C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA07N60C3
  仓库库存编号：SPA07N60C3IN-ND
  别名：SP000216303
  SPA07N60C3IN
  SPA07N60C3XK
  SPA07N60C3XKSA1
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU4105ZPBF
  仓库库存编号：IRFU4105ZPBF-ND
  别名：*IRFU4105ZPBF
  SP001552434
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03MSGINCT
  BSC080N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU07N60C3
  仓库库存编号：SPU07N60C3IN-ND
  别名：SP000101635
  SPU07N60C3-ND
  SPU07N60C3BKMA1
  SPU07N60C3IN
  SPU07N60C3X
  SPU07N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7421D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7421D1PBFCT-ND
  别名：*IRF7421D1TRPBF
  IRF7421D1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ088N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ088N03MSGINCT
  BSZ088N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO083N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO083N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO083N03MS GINCT
  BSO083N03MS GINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ240N12NS3 G
  仓库库存编号：BSZ240N12NS3 GCT-ND
  别名：BSZ240N12NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N06NATMA1
  仓库库存编号：IPD053N06NATMA1CT-ND
  别名：IPD053N06N-ND
  IPD053N06NATMA1CT
  IPD053N06NCT
  IPD053N06NCT-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB057N06NATMA1
  仓库库存编号：IPB057N06NATMA1CT-ND
  别名：IPB057N06N-ND
  IPB057N06NATMA1CT
  IPB057N06NCT
  IPB057N06NCT-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 120W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R125G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R125G7XTMA1CT-ND
  别名：IPT60R125G7XTMA1CT
  
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  MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ042N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ042N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ042N06NS
  BSZ042N06NS-ND
  BSZ042N06NSATMA1CT
  BSZ042N06NSCT
  BSZ042N06NSCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC039N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC039N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC039N06NS
  BSC039N06NS-ND
  BSC039N06NSATMA1CT
  BSC039N06NSCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP060N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP060N06NAKSA1-ND
  别名：IPP060N06N
  IPP060N06N-ND
  SP000917402
  
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  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N10S4L22ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND
  别名：IPG20N10S4L22ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9410TRPBF
  仓库库存编号：IRF9410PBFTR-ND
  别名：IRF9410PBFTR
  IRF9410TRPBF-ND
  IRF9410TRPBFTR-ND
  SP001551686
  
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  MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.8A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9520NPBF
  仓库库存编号：IRF9520NPBF-ND
  别名：*IRF9520NPBF
  Q5233848
  SP001554524
  
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  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 20A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR4105ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFR4105ZTRL-ND
  别名：SP001517348
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP07N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP07N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000681030
  SPP07N60C3
  SPP07N60C3IN
  SPP07N60C3IN-ND
  SPP07N60C3X
  SPP07N60C3XK
  SPP07N60C3XTIN
  SPP07N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,品牌：Infineon Technologies,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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