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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4901,LF
仓库库存编号:
RN4901LFCT-ND
别名:RN4901LFCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA143EK,115
仓库库存编号:
PDTA143EK,115-ND
别名:934036770115
PDTA143EK T/R
PDTA143EK T/R-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC143EK,115
仓库库存编号:
PDTC143EK,115-ND
别名:934036810115
PDTC143EK T/R
PDTC143EK T/R-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC143ES,126
仓库库存编号:
PDTC143ES,126-ND
别名:934047420126
PDTC143ES AMO
PDTC143ES AMO-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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