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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商	NXP USA Inc.
安装类型	通孔
系列	-
包装	带盒（TB）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
晶体管类型	NPN - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	500mW
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	150mV @ 500μA，10mA
频率 - 跃迁	-
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	4.7k
关键词

产品资料

标准包装	2,000
其它名称	934047420126 PDTC143ES AMO PDTC143ES AMO-ND

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 NXP USA Inc.   安装类型 通孔  NXP USA Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 通孔  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 通孔   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 带盒（TB）   NXP USA Inc. 包装 带盒（TB）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带盒（TB）   NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带盒（TB）    零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 TO-92-3  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 TO-92-3   晶体管类型 NPN - 预偏压  NXP USA Inc. 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V  NXP USA Inc. 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  NXP USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 500mW  NXP USA Inc. Power - Max 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 500mW  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 500mW   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  NXP USA Inc. 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  NXP USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA  NXP USA Inc. 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 -  NXP USA Inc. 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 -  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 -   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  NXP USA Inc. 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k  NXP USA Inc. 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k  NXP USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 4.7k