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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),59W(Tc) Power56
型号:
FDMS8023S
仓库库存编号:
FDMS8023SCT-ND
别名:FDMS8023SCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RSD221N06TL
仓库库存编号:
RSD221N06TL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.5W(Tc) 8-SO
型号:
PSMN005-30K,518
仓库库存编号:
PSMN005-30K,518-ND
别名:934056843518
PSMN005-30K /T3
PSMN005-30K /T3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 27W(Tc) DPAK+
型号:
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
仓库库存编号:
TJ8S06M3L(T6L1NQ)-ND
别名:TJ8S06M3L(T6L1NQ)
TJ8S06M3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 25W(Tc) DPAK+
型号:
TK10S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK10S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK10S04K3L(T6L1NQ
TK10S04K3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 25W(Tc) DPAK+
型号:
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
仓库库存编号:
TK8S06K3L(T6L1NQ)-ND
别名:TK8S06K3L(T6L1NQ)
TK8S06K3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4834CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4834CDY-T1-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 27W(Tc) DPAK+
型号:
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ10S04M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ10S04M3L(T6L1NQ
TJ10S04M3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Ta) 41W(Tc) DPAK+
型号:
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ15S06M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ15S06M3L(T6L1NQ
TJ15S06M3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Ta) 41W(Tc) DPAK+
型号:
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ20S04M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ20S04M3L(T6L1NQ
TJ20S04M3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 38W(Tc) DPAK+
型号:
TK20S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK20S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK20S04K3L(T6L1NQ
TK20S04K3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 38W(Tc) DPAK+
型号:
TK20S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK20S06K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK20S06K3L(T6L1NQ
TK20S06K3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 8A CPT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 15W(Tc) CPT3
型号:
RSD080P05TL
仓库库存编号:
RSD080P05TL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
RSD150N06TL
仓库库存编号:
RSD150N06TL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4834CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4834CDY-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 58W(Tc) DPAK+
型号:
TK30S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK30S06K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK30S06K3L(T6L1NQ
TK30S06K3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 58W(Tc) DPAK+
型号:
TK35S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK35S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK35S04K3L(T6L1NQ
TK35S04K3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET POW
详细描述:表面贴装 N 沟道 124A(Tc) 47W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC2D8N025S
仓库库存编号:
FDMC2D8N025S-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
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Fairchild/ON Semiconductor
PT9 30V/16V NCH POWERTRENCH MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 163A (Tc) 75W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS2D4N03S
仓库库存编号:
FDMS2D4N03S-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 40A(Ta) 68W(Tc) DPAK+
型号:
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ40S04M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ40S04M3L(T6L1NQ
TJ40S04M3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Ta) 68W(Tc) DPAK+
型号:
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ30S06M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ30S06M3L(T6L1NQ
TJ30S06M3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Ta) 88W(Tc) DPAK+
型号:
TK60S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK60S06K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK60S06K3L(T6L1NQ
TK60S06K3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 65A(Ta) 88W(Tc) DPAK+
型号:
TK65S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK65S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK65S04K3L(T6L1NQ
TK65S04K3LT6L1NQ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 450V 90mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN0545ASTZ
仓库库存编号:
ZVN0545ASTZ-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 50A(Ta) 90W(Tc) DPAK+
型号:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ50S06M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ50S06M3L(T6L1NQ
TJ50S06M3LT6L1NQ
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