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TJ30S06M3L(T6L1,NQ - 

MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3

  • 非库存货
Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L(T6L1,NQ
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ30S06M3L(T6L1NQ-ND
描述:
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 60V 30A(Ta) 68W(Tc) DPAK+
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  175°C(TJ)  
  系列  U-MOSVI  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK+  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  +10V,-20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  80nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  21.8 毫欧 @ 15A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  6V,10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  30A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  3950pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  68W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  60V  
关键词         

产品资料
标准包装 2,000
其它名称 TJ30S06M3L(T6L1NQ
TJ30S06M3LT6L1NQ

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