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IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 102A(Tc) 750W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV102N20T
仓库库存编号:
IXTV102N20T-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 110A(Tc) 694W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV110N25TS
仓库库存编号:
IXTV110N25TS-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM160-0055X1-SL
仓库库存编号:
GWM160-0055X1-SL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM160-0055X1-SLSAM
仓库库存编号:
GWM160-0055X1-SLSAM-ND
别名:GWM160-0055X1-SL SAM
GWM160-0055X1-SL SAM-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM160-0055X1-SMD
仓库库存编号:
GWM160-0055X1-SMD-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM160-0055X1-SMDSAM
仓库库存编号:
GWM160-0055X1-SMDSAM-ND
别名:GWM160-0055X1-SMD SAM
GWM160-0055X1-SMD SAM-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N15T4GV
仓库库存编号:
MTD6N15T4GV-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205
详细描述:P 沟道 30V 320mA(Ta)
型号:
VP0300B-E3
仓库库存编号:
VP0300B-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 80V 880mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP0808B
仓库库存编号:
VP0808B-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 80V 880mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP0808B-2
仓库库存编号:
VP0808B-2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 80V 880mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP0808B-E3
仓库库存编号:
VP0808B-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 100V 790mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP1008B
仓库库存编号:
VP1008B-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 P-Channel 30V 600mA 2W
型号:
VQ2001P
仓库库存编号:
VQ2001P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 P-Channel 30V 600mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ2001P-2
仓库库存编号:
VQ2001P-2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 450V 700mA 1.6W Surface Mount 8-SOIC
型号:
FW276-TL-2H
仓库库存编号:
FW276-TL-2HOSCT-ND
别名:FW276-TL-2HOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA,
无铅
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