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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 47W(Tc) DPAK
型号:
NVD5805NT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5805NT4G-VF01-ND
别名:NVD5117PLT4G-VF01
NVD5805NT4G
NVD5805NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 1.5W(Ta) 8-HWSON(3.3x3.3)
型号:
UPA2813T1L-E2-AT
仓库库存编号:
UPA2813T1L-E2-AT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Tc) 1.5W(Ta), 52W(Tc) 8-HVSON(3x3.3)
型号:
UPA2813T1L-E1-AT
仓库库存编号:
UPA2813T1L-E1-AT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Ta) 68W(Tc) DPAK+
型号:
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TJ30S06M3L(T6L1NQ-ND
别名:TJ30S06M3L(T6L1NQ
TJ30S06M3LT6L1NQ
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 N-CH 40/20V POWER TRENCH MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 27A(Ta),141A(Tc) 2.8W(Ta),75W(Tc) Power33
型号:
FDMC8360LET40
仓库库存编号:
FDMC8360LET40-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR870ADP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR870ADP-T1-RE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),268W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB266L
仓库库存编号:
785-1328-1-ND
别名:785-1328-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A
详细描述:通孔 P 沟道 38A(Ta) 1.65W(Ta),65W(Tc) TO-262-3
型号:
2SJ661-1E
仓库库存编号:
2SJ661-1E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A
详细描述:表面贴装 P 沟道 38A(Ta) 1.65W(Ta),65W(Tc) TO-263-2
型号:
2SJ661-DL-1E
仓库库存编号:
2SJ661-DL-1E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 463W(Tc) TO-220
型号:
AOT20C60PL
仓库库存编号:
785-1711-5-ND
别名:785-1711-5
AOT20C60PL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF20C60P
仓库库存编号:
AOTF20C60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 45W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF20C60PL
仓库库存编号:
785-1716-5-ND
别名:785-1716-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 120V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 325W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA80N12T2
仓库库存编号:
IXTA80N12T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP90N15T
仓库库存编号:
IXTP90N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA90N15T
仓库库存编号:
IXTA90N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ90N15T
仓库库存编号:
IXTQ90N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 9.5A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP344
仓库库存编号:
IRFP344-ND
别名:*IRFP344
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH90N15T
仓库库存编号:
IXTH90N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT12M80B
仓库库存编号:
APT12M80B-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT9M100B
仓库库存编号:
APT9M100B-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 337W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT11F80B
仓库库存编号:
APT11F80B-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 463W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N100P
仓库库存编号:
IXFH12N100P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 337W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT9F100B
仓库库存编号:
APT9F100B-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 335W(Tc) D3Pak
型号:
APT7M120S
仓库库存编号:
APT7M120S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC23N60C5
仓库库存编号:
IXKC23N60C5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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