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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R380C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI60R380C6XKSA1-ND
别名:IPI60R380C6
IPI60R380C6-ND
SP000660630
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 31.2W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R420CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R420CFDXKSA1-ND
别名:IPA65R420CFD
IPA65R420CFD-ND
SP000890322
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R420CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R420CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R420CFD
IPI65R420CFD-ND
SP000891702
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R420CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R420CFDXKSA1-ND
别名:IPP65R420CFD
IPP65R420CFD-ND
SP000876824
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R420CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPD65R420CFDAATMA1-ND
别名:SP000928262
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R420CFDFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R420CFDFKSA1-ND
别名:IPW65R420CFD
IPW65R420CFD-ND
SP000890686
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24V 60A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB60NH02LT4
仓库库存编号:
STB60NH02LT4-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 60A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD70N02L
仓库库存编号:
497-5891-1-ND
别名:497-5891-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 60A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STD70N02L-1
仓库库存编号:
STD70N02L-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 22A(Ta) 60W(Tj) D2PAK
型号:
NTB22N06T4
仓库库存编号:
NTB22N06T4OS-ND
别名:NTB22N06T4OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 22A(Ta) 60W(Tj) TO-220AB
型号:
NTP22N06
仓库库存编号:
NTP22N06OS-ND
别名:NTP22N06OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.7A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.7A(Ta) 2W(Ta) SuperSOT?-6 FLMP
型号:
FDC3616N
仓库库存编号:
FDC3616NCT-ND
别名:FDC3616N_NLCT
FDC3616N_NLCT-ND
FDC3616NCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7296N3
仓库库存编号:
FDS7296N3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXTI10N60P
仓库库存编号:
IXTI10N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.6A(Ta) 630mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS4111PT1
仓库库存编号:
NTGS4111PT1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXFI7N80P
仓库库存编号:
IXFI7N80P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 7.6A, 7.9A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4569DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4569DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4569DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4910DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4910DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4910DY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5476DU-T1-E3
仓库库存编号:
SI5476DU-T1-E3CT-ND
别名:SI5476DU-T1-E3CT
SI5476DUT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 55A(Tc) 2.5W(Ta),51.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD452
仓库库存编号:
785-1109-1-ND
别名:785-1109-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 44A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 12A(Ta),44A(Tc) 2W(Ta),30W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1432
仓库库存编号:
785-1126-1-ND
别名:785-1126-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 12A(Ta),78A(Tc) I-Pak
型号:
NTD4857NA-1G
仓库库存编号:
NTD4857NA-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 30A(Ta) 20W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2172H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2172H-EL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 6A(Tc) 31W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF06N62ZG
仓库库存编号:
NDF06N62ZGOS-ND
别名:NDF06N62ZG-ND
NDF06N62ZGOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4910DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4910DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4910DY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
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