SI4910DY-T1-E3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SI4910DY-T1-E3 - 

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

  • 已过时的产品。
Vishay Siliconix SI4910DY-T1-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI4910DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4910DY-T1-E3CT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI4910DY-T1-E3产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  32nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  27 毫欧 @ 6A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  7.6A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  855pF @ 20V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  40V  
  功率 - 最大值  3.1W  
关键词         

产品资料
数据列表 SI4910DY
标准包装 1
其它名称 SI4910DY-T1-E3CT

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